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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77.5A（Tc） 481W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R041C6
  仓库库存编号：IPW60R041C6-ND
  别名：IPW60R041C6FKSA1
  SP000718886
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） 61W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI4110GPBF
  仓库库存编号：IRFI4110GPBF-ND
  别名：SP001556598
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW52N50C3
  仓库库存编号：SPW52N50C3IN-ND
  别名：SP000014626
  SPW52N50C3-ND
  SPW52N50C3FKSA1
  SPW52N50C3IN
  SPW52N50C3X
  SPW52N50C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 170A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA170N06
  仓库库存编号：FQA170N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3805PBF
  仓库库存编号：IRF3805PBF-ND
  别名：SP001561690
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 375W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA160N08
  仓库库存编号：FQA160N08-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3805STRLPBF
  仓库库存编号：IRF3805STRLPBFCT-ND
  别名：IRF3805STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT51M50J
  仓库库存编号：APT51M50J-ND
  别名：APT51M50JMI
  APT51M50JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT75M50L
  仓库库存编号：APT75M50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 51A（Tc） 480W（Tc） ISOTOP?
  
  型号：APT51F50J
  仓库库存编号：APT51F50J-ND
  别名：APT51F50JMI
  APT51F50JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SQM120N02-1M3L_GE3
  仓库库存编号：SQM120N02-1M3L_GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX?
  
  型号：APT75M50B2
  仓库库存编号：APT75M50B2-ND
  别名：APT75M50B2MI
  APT75M50B2MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 75A（Tc） 1040W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APT75F50L
  仓库库存编号：APT75F50L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 75A（Tc） 1040W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT75F50B2
  仓库库存编号：APT75F50B2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 97A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M22JVRU2
  仓库库存编号：APT20M22JVRU2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 97A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 200V 97A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT20M22JVRU3
  仓库库存编号：APT20M22JVRU3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 1200V 22A（Tc） 690W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT12057B2LLG
  仓库库存编号：APT12057B2LLG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 240A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB240N04S4R9ATMA1
  仓库库存编号：IPB240N04S4R9ATMA1-ND
  别名：SP000952896
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 160A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-220
  
  型号：AUIRF3805
  仓库库存编号：AUIRF3805-ND
  别名：SP001515808
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 160A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-262
  
  型号：AUIRF3805L
  仓库库存编号：AUIRF3805L-ND
  别名：SP001522082
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 17A（Tc） 460W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT12067JLL
  仓库库存编号：APT12067JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 19A（Tc） 520W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT12057JLL
  仓库库存编号：APT12057JLL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 330W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3805
  仓库库存编号：IRF3805-ND
  别名：*IRF3805
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 330W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF3805S
  仓库库存编号：IRF3805S-ND
  别名：*IRF3805S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF3805LPBF
  仓库库存编号：IRF3805LPBF-ND
  别名：SP001574608
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 290nC @ 10V,
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