产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS84PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS84PL6327
BSS84PL6327INCT
BSS84PL6327INCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PW
仓库库存编号:
BSS84PWINCT-ND
别名:BSS84PWINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
SN7002W E6327
仓库库存编号:
SN7002WE6327INCT-ND
别名:SN7002WE6327INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W L6327
仓库库存编号:
BSS138W L6327-ND
别名:SP000245411
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138W L6433
仓库库存编号:
BSS138W L6433-ND
别名:SP000245412
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT-323
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 150mA(Ta) 300mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS84PW L6327
仓库库存编号:
BSS84PW L6327-ND
别名:SP000247312
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
SN7002W L6327
仓库库存编号:
SN7002W L6327-ND
别名:SP000245414
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
SN7002W L6433
仓库库存编号:
SN7002W L6433-ND
别名:SP000245413
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS84PH6327XTSA1-ND
别名:BSS84P H6327
BSS84P H6327-ND
SP000702496
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6BKMA1-ND
别名:SP000931532
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1.5nC @ 10V,
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