产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 1.1W(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN5632N_F085
仓库库存编号:
FDN5632N_F085CT-ND
别名:FDN5632N_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.4A, 4.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS8958B
仓库库存编号:
FDS8958BCT-ND
别名:FDS8958BCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTM
仓库库存编号:
FQD2N60CTMCT-ND
别名:FQD2N60CTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),10A(Tc) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA8878
仓库库存编号:
FDMA8878CT-ND
别名:FDMA8878CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD5N50NZTM
仓库库存编号:
FDD5N50NZTMCT-ND
别名:FDD5N50NZTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP5N50NZ
仓库库存编号:
FDP5N50NZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 61W(Tc) DPAK
型号:
NDD04N50ZT4G
仓库库存编号:
NDD04N50ZT4GOSCT-ND
别名:NDD04N50ZT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Tc) 62.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD5N50NZFTM
仓库库存编号:
FDD5N50NZFTMCT-ND
别名:FDD5N50NZFTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N60CTM_WS
仓库库存编号:
FQD2N60CTM_WSCT-ND
别名:FQD2N60CTM_WSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 25V 40A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3W(Ta),41W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC8588DC
仓库库存编号:
FDMC8588DCCT-ND
别名:FDMC8588DCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N50NZ
仓库库存编号:
FDPF5N50NZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 23W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N60C
仓库库存编号:
FQPF2N60C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 54W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N60C
仓库库存编号:
FQP2N60CFS-ND
别名:FQP2N60C-ND
FQP2N60CFS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N50NZF
仓库库存编号:
FDPF5N50NZF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3.9A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 30W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N50NZU
仓库库存编号:
FDPF5N50NZU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS4141NT1G
仓库库存编号:
NTGS4141NT1GOSCT-ND
别名:NTGS4141NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tc) 61W(Tc) DPAK
型号:
NDD03N60ZT4G
仓库库存编号:
NDD03N60ZT4GOSCT-ND
别名:NDD03N60ZT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.9A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N60CTU
仓库库存编号:
FQU2N60CTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NVGS4141NT1G
仓库库存编号:
NVGS4141NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 61W(Tc) I-Pak
型号:
NDD04N50Z-1G
仓库库存编号:
NDD04N50Z-1GOS-ND
别名:NDD04N50Z-1G-ND
NDD04N50Z-1GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3.1W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4823NWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS4823NWFTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3.1W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4823NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4823NWFTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
型号:
NTLLD4901NFTWG
仓库库存编号:
NTLLD4901NFTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Tc) 74W(Tc) DPAK
型号:
NDD60N900U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N900U1T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 74W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N900U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N900U1-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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