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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 3A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
  
  型号：2SK3462(TE16L1,NQ)
  仓库库存编号：2SK3462(TE16L1,NQ)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.6A（Tc） 61W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD03N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD03N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD03N60Z-1G-ND
  NDD03N60Z-1GOS
  NDD03N60Z1G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A60D(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A60D(STA4QM)-ND
  别名：TK4A60D(Q)
  TK4A60D(Q)-ND
  TK4A60D(STA4QM)
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.5A（Tc） 83W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT3N60
  仓库库存编号：785-1186-5-ND
  别名：785-1186-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 380mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2327DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2327DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2327DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 1.3A（Tc） 2.2W（Ta），4.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4409DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4409DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4409DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 21.4A（Tc） 59W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y54-75B,115
  仓库库存编号：568-5521-1-ND
  别名：568-5521-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.7A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3456CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3456CDV-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.7A（Tc） 2W（Ta），3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3456CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3456CDV-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 1.3A（Tc） 2.2W（Ta），4.6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4409DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4409DY-T1-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 5A, 4.4A 2.75W, 2.95W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4567DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4567DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 5A 2.75W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4908DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4908DY-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8A, 6A 2.5W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：FW906-TL-E
  仓库库存编号：FW906-TL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 46A（Tc） 34W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN9R0-25YLC,115
  仓库库存编号：568-7592-1-ND
  别名：568-7592-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.5A（Ta） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK4A65DA(STA4,Q,M)
  仓库库存编号：TK4A65DA(STA4QM)-ND
  别名：TK4A65DA(STA4QM)
  TK4A65DASTA4QM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.1A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
  
  型号：TPC6010-H(TE85L,FM
  仓库库存编号：TPC6010-H(TE85LFM-ND
  别名：TPC6010-H(TE85LFM
  TPC6010HTE85LFM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP
  
  型号：TPC8221-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8221-HLQ(S-ND
  别名：TPC8221-HLQ(S
  TPC8221HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 4.4A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SQ2360EES-T1-GE3
  仓库库存编号：SQ2360EES-T1-GE3CT-ND
  别名：SQ2360EES-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 19A TP
  详细描述：通孔 P 沟道 40V 19A（Ta） 1W（Ta），23W（Tc） TP
  
  型号：SFT1350-H
  仓库库存编号：SFT1350-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 7A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK7880-55A,115
  仓库库存编号：568-9712-1-ND
  别名：568-9712-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 700mW Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6801E
  仓库库存编号：785-1466-1-ND
  别名：785-1466-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.6W（Ta） 8-DFN（3x2）
  
  型号：AON4420
  仓库库存编号：785-1572-1-ND
  别名：785-1572-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 800mW（Ta） 3-MPAK
  
  型号：RQJ0303PGDQA#H6
  仓库库存编号：RQJ0303PGDQA#H6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 4A DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2707
  仓库库存编号：AON2707-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 86.2W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M004A060CG
  仓库库存编号：GP2M004A060CG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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