产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号：
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名：BSZ520N15NS3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9014PBF
仓库库存编号：
IRFD9014PBF-ND
别名：*IRFD9014PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z14PBF
仓库库存编号：
IRF9Z14PBF-ND
别名：*IRF9Z14PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
型号：
CXDM4060N TR
仓库库存编号：
CXDM4060N CT-ND
别名：CXDM4060N CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R600P6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600P6ATMA1CT-ND
别名：IPD60R600P6ATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 62W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD5N50NZTM
仓库库存编号：
FDD5N50NZTMCT-ND
别名：FDD5N50NZTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） 8-ThinPak（5x6）
型号：
IPL60R650P6SATMA1
仓库库存编号：
IPL60R650P6SATMA1CT-ND
别名：IPL60R650P6SATMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z14SPBF
仓库库存编号：
IRF9Z14SPBF-ND
别名：*IRF9Z14SPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5N50NZ
仓库库存编号：
FDP5N50NZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP530N15N3 G
仓库库存编号：
IPP530N15N3 G-ND
别名：IPP530N15N3G
IPP530N15N3GXKSA1
SP000521722
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9953TRPBF
仓库库存编号：
IRF9953PBFCT-ND
别名：*IRF9953TRPBF
IRF9953PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD7LN80K5
仓库库存编号：
497-16491-1-ND
别名：497-16491-1
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
STU7LN80K5
仓库库存编号：
497-16498-5-ND
别名：497-16498-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI7LN80K5
仓库库存编号：
497-16494-5-ND
别名：497-16494-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc）
型号：
STFI9N80K5
仓库库存编号：
497-16495-5-ND
别名：497-16495-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号：
TSM4NC50CP ROGTR-ND
别名：TSM4NC50CP ROGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号：
TSM4NC50CP ROGCT-ND
别名：TSM4NC50CP ROGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM4NC50CP ROG
仓库库存编号：
TSM4NC50CP ROGDKR-ND
别名：TSM4NC50CP ROGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STU2LN60K3
仓库库存编号：
497-13393-5-ND
别名：497-13393-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STD4NK50Z-1
仓库库存编号：
497-12559-5-ND
别名：497-12559-5
STD4NK50Z-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 5.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU9014PBF
仓库库存编号：
IRFU9014PBF-ND
别名：*IRFU9014PBF
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU310PBF
仓库库存编号：
IRFU310PBF-ND
别名：*IRFU310PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z10PBF
仓库库存编号：
IRF9Z10PBF-ND
别名：*IRF9Z10PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tj） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP320SH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP320SH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP320SH6327XTSA1CT
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 3W（Ta） 8-PSOP
型号：
RMW130N03TB
仓库库存编号：
RMW130N03TBCT-ND
别名：RMW130N03TBCT
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