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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.3A 730mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  
  型号：DMN2050LFDB-13
  仓库库存编号：DMN2050LFDB-13DICT-ND
  别名：DMN2050LFDB-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 20W（Tc） PW-MOLD
  
  型号：2SK2231(TE16R1,NQ)
  仓库库存编号：2SK2231TE16RQCT-ND
  别名：2SK2231TE16RQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA922EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA922EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA922EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 2.8W（Tc） SOT-363
  
  型号：SI1416EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1416EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1416EDH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5468DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5468DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5468DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Micro Commercial Co
  MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 6A, 4.1A Surface Mount DFN2020-6U
  
  型号：MCMNP517-TP
  仓库库存编号：MCMNP517-TPMSCT-ND
  别名：MCMNP517MSCT
  MCMNP517MSCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta），24A（Tc） 3.1W（Ta），20W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7410
  仓库库存编号：785-1581-1-ND
  别名：785-1581-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RRQ030P03TR
  仓库库存编号：RRQ030P03CT-ND
  别名：RRQ030P03TRCT
  RRQ030P03TRCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Tc） 2W（Tc）
  
  型号：SQ2361ES-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ2361ES-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ2361ES-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA519EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA519EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA519EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Tc） 1.7W（Ta），2.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4823DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4823DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4823DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 3W（Ta），23.7W（Tc） 8-HSOP
  
  型号：RS1E170GNTB
  仓库库存编号：RS1E170GNTBCT-ND
  别名：RS1E170GNTBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2.7W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4210DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4210DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4210DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Tc） 3.3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3459BDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3459BDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3459BDV-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD2LN60K3
  仓库库存编号：497-13390-1-ND
  别名：497-13390-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 61W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD04N50ZT4G
  仓库库存编号：NDD04N50ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD04N50ZT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD4NK50ZT4
  仓库库存编号：497-4103-1-ND
  别名：497-4103-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Tc） 62.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD5N50NZFTM
  仓库库存编号：FDD5N50NZFTMCT-ND
  别名：FDD5N50NZFTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 700mW（Ta），18W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN22006NH,LQ
  仓库库存编号：TPN22006NHLQCT-ND
  别名：TPN22006NHLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 8A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 33W（Tc）
  
  型号：SQS462EN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQS462EN-T1_GE3CT-ND
  别名：SQS462EN-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 1.9A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD2N60CTM_WS
  仓库库存编号：FQD2N60CTM_WSCT-ND
  别名：FQD2N60CTM_WSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.4A 4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SQ9945BEY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ9945BEY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ9945BEY-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 86.2W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M004A060PG
  仓库库存编号：1560-1194-5-ND
  别名：1560-1194-1
  1560-1194-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD11N50M2
  仓库库存编号：497-15306-1-ND
  别名：497-15306-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 25V 40A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），41W（Tc） Dual Cool ? 33
  
  型号：FDMC8588DC
  仓库库存编号：FDMC8588DCCT-ND
  别名：FDMC8588DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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