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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：IRFTS9342TRPBF
  仓库库存编号：IRFTS9342TRPBFCT-ND
  别名：IRFTS9342TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  PMPB55ENEA/SOT1220/REEL 7" Q1/
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1.65W（Ta） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB55ENEAX
  仓库库存编号：1727-2730-1-ND
  别名：1727-2730-1
  568-13294-1
  568-13294-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 8TDSON
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
  
  型号：IPG20N06S2L65AATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S2L65AATMA1CT-ND
  别名：IPG20N06S2L65AATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 57W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC520N15NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC520N15NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC520N15NS3 GCT
  BSC520N15NS3 GCT-ND
  BSC520N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD530N15N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50NZ
  仓库库存编号：FDPF5N50NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 23W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF2N60C
  仓库库存编号：FQPF2N60C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 54W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP2N60C
  仓库库存编号：FQP2N60CFS-ND
  别名：FQP2N60C-ND
  FQP2N60CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-263
  
  型号：IXTA8N65X2
  仓库库存编号：IXTA8N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.9A（Tc） 28W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R600P6
  仓库库存编号：IPA60R600P6-ND
  别名：IPA60R600P6XKSA1
  SP001017070
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP7LN80K5
  仓库库存编号：497-16497-5-ND
  别名：497-16497-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7LN80K5
  仓库库存编号：497-16492-5-ND
  别名：497-16492-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF9N80K5
  仓库库存编号：497-16493-5-ND
  别名：497-16493-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY8N65X2
  仓库库存编号：IXTY8N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N65X2M
  仓库库存编号：IXTP8N65X2M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2LN60K3
  仓库库存编号：497-13396-5-ND
  别名：497-13396-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF11N50M2
  仓库库存编号：497-15267-5-ND
  别名：497-15267-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY8N70X2
  仓库库存编号：IXTY8N70X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU8N70X2
  仓库库存编号：IXTU8N70X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 32W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N70X2M
  仓库库存编号：IXTP8N70X2M-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：IXTP8N70X2
  仓库库存编号：IXTP8N70X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2290
  仓库库存编号：785-1606-1-ND
  别名：785-1606-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Tc） 1.7W（Ta），3.1W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5913DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5913DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5913DC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.3A（Tc） 1.1W（Ta），1.4W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3805DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3805DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3805DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4.2A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF5N50NZF
  仓库库存编号：FDPF5N50NZF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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