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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD04P10PGBTMA1
  仓库库存编号：SPD04P10PGBTMA1TR-ND
  别名：SP000212230
  SPD04P10P G
  SPD04P10P G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU80R2K8CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU80R2K8CEAKMA1-ND
  别名：SP001593932
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP321PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP321PH6327XTSA1-ND
  别名：SP001058782
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R600P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R600P6ATMA1-ND
  别名：SP001313874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB530N15N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB530N15N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB530N15N3 GCT
  IPB530N15N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R600P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R600P6XKSA1-ND
  别名：IPP60R600P6
  IPP60R600P6-ND
  SP001017054
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 21A（Tc） 68W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI530N15N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI530N15N3GXKSA1-ND
  别名：IPI530N15N3 G
  IPI530N15N3 G-ND
  SP000807642
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 171W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R065C7ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R065C7ATMA1-ND
  别名：SP001080110
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP7NM50N
  仓库库存编号：497-7531-5-ND
  别名：497-7531-5
  STP7NM50N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF7NM50N
  仓库库存编号：497-7474-5-ND
  别名：497-7474-5
  STF7NM50N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4NK50Z
  仓库库存编号：497-3190-5-ND
  别名：497-3190-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD12NF06-1
  仓库库存编号：STD12NF06-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NM50FD
  仓库库存编号：STP12NM50FD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW14NM50FD
  仓库库存编号：STW14NM50FD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF4NK50ZD
  仓库库存编号：497-5107-5-ND
  别名：497-5107-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 3A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD4NK50ZD
  仓库库存编号：497-5105-1-ND
  别名：497-5105-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB12NM50FDT4
  仓库库存编号：497-5380-1-ND
  别名：497-5380-1
  
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD4NK50ZD-1
  仓库库存编号：497-5964-5-ND
  别名：497-5964-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD7NM50N-1
  仓库库存编号：STD7NM50N-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 5A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD7NM50N
  仓库库存编号：497-7975-1-ND
  别名：497-7975-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP4NK50ZFP
  仓库库存编号：STP4NK50ZFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF9Z14
  仓库库存编号：IRF9Z14-ND
  别名：*IRF9Z14
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6.7A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9Z14S
  仓库库存编号：IRF9Z14S-ND
  别名：*IRF9Z14S
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 1.1A（Ta） 1.3W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9014
  仓库库存编号：IRFD9014-ND
  别名：*IRFD9014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.8A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL9014
  仓库库存编号：IRFL9014-ND
  别名：*IRFL9014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 12nC @ 10V,
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