产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS214NWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS214NWH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS214NWH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS214NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS214NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS214N H6327CT
BSS214N H6327CT-ND
BSS214NH6327XTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
型号:
EPC2110ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2110ENGRCT-ND
别名:917-EPC2110ENGRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL214NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL214NH6327XTSA1-ND
别名:SP001100658
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS214NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS214NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS214N L6327
BSS214N L6327-ND
SP000440878
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS214NW L6327
仓库库存编号:
BSS214NW L6327-ND
别名:SP000440880
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL214NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSL214NL6327HTSA1CT-ND
别名:BSL214N L6327CT
BSL214N L6327CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.5A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD214SN L6327
仓库库存编号:
BSD214SN L6327INCT-ND
别名:BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.8nC @ 5V,
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