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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 500mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6J215FE(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6J215FE(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6J215FE(TE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP2033UVT-7
  仓库库存编号：DMP2033UVT-7DICT-ND
  别名：DMP2033UVT-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J331R,LF
  仓库库存编号：SSM3J331RLFCT-ND
  别名：SSM3J331RLF(TCT
  SSM3J331RLF(TCT-ND
  SSM3J331RLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -20V -5A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Tc） 1.25W（Tc） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RQ6C050BCTCR
  仓库库存编号：RQ6C050BCTCRCT-ND
  别名：RQ6C050BCTCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.8A 500mW Surface Mount 6-UDFN (2x2)
  
  型号：NTLUD3A50PZTAG
  仓库库存编号：NTLUD3A50PZTAGOSCT-ND
  别名：NTLUD3A50PZTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 15W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E075ATTB
  仓库库存编号：RQ3E075ATTBCT-ND
  别名：RQ3E075ATTBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.2A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP2033UVT-13
  仓库库存编号：DMP2033UVT-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
  
  型号：NTLUS3A39PZTAG
  仓库库存编号：NTLUS3A39PZTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
  
  型号：NTLUS3A39PZTBG
  仓库库存编号：NTLUS3A39PZTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.8A 500mW Surface Mount 6-UDFN (2x2)
  
  型号：NTLUD3A50PZTBG
  仓库库存编号：NTLUD3A50PZTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 30A WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 30W（Tc） 8-WPAK
  
  型号：RJK03M5DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK03M5DPA-00#J5A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 25A HWSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta） 15W（Tc） 8-HWSON（3.3x3.3）
  
  型号：RJK03M5DNS-00#J5
  仓库库存编号：RJK03M5DNS-00#J5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 4WLCSP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.3W Surface Mount 4-WLCSP (1.57x1.57)
  
  型号：AOC2802
  仓库库存编号：AOC2802-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
  
  型号：NTLUS3A39PZCTAG
  仓库库存编号：NTLUS3A39PZCTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5.2A UDFN6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.4A（Ta） 600mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
  
  型号：NTLUS3A39PZCTBG
  仓库库存编号：NTLUS3A39PZCTBG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 4WLCSP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.3W Surface Mount 4-WLCSP (1.57x1.57)
  
  型号：AOC2802_001
  仓库库存编号：AOC2802_001-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.4nC @ 4.5V,
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