产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 34W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC22DN20NS3 G
仓库库存编号:
BSC22DN20NS3 GCT-ND
别名:BSC22DN20NS3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13.1A(Tc) 2.5W(Ta), 20.2W(Tc) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD19538Q2T
仓库库存编号:
296-44612-1-ND
别名:296-44612-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 770mW(Ta) SOT-23
型号:
DMN13H750S-7
仓库库存编号:
DMN13H750S-7DICT-ND
别名:DMN13H750S-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 300V 0.9A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta),2.5A(Tc) 3.1W(Ta),25W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7462
仓库库存编号:
785-1314-1-ND
别名:785-1314-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 830mA(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223-4
型号:
FQT4N25TF
仓库库存编号:
FQT4N25TFCT-ND
别名:FQT4N25TFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4N25TM_WS
仓库库存编号:
FQD4N25TM_WSCT-ND
别名:FQD4N25TM_WSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 34W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ22DN20NS3 G
仓库库存编号:
BSZ22DN20NS3GCT-ND
别名:BSZ22DN20NS3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN358P
仓库库存编号:
FDN358PCT-ND
别名:FDN358PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A SOT563
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-563/SCH6
型号:
SCH1439-TL-W
仓库库存编号:
SCH1439-TL-WOSCT-ND
别名:SCH1439-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.5W(Ta) SC-88FL/ MCPH6
型号:
MCH6431-TL-W
仓库库存编号:
MCH6431-TL-W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 35V 4.5A 2.2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
FW216A-TL-2W
仓库库存编号:
FW216A-TL-2W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET NCH 100V 14.4A SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.4A(Ta) 2.5W(Ta), 20.2W(Tc) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD19538Q2
仓库库存编号:
CSD19538Q2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.5A, 3.5A 1.7W Surface Mount 8-SOIC
型号:
FW344A-TL-2W
仓库库存编号:
FW344A-TL-2W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PHT6N06T,135
仓库库存编号:
568-7368-1-ND
别名:568-7368-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4N25TF
仓库库存编号:
FQD4N25TF-ND
别名:Q1585607
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3A(Tc) 2.5W(Ta),37W(Tc) I-Pak
型号:
FQU4N25TU
仓库库存编号:
FQU4N25TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3.6A(Tc) 52W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP4N25
仓库库存编号:
FQP4N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N25
仓库库存编号:
FQPF4N25-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 3.6A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4N25TU
仓库库存编号:
FQI4N25TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 3.6A(Tc) 3.13W(Ta),52W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N25TM
仓库库存编号:
FQB4N25TM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5A(Ta) 1.5W(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6431-TL-H
仓库库存编号:
MCH6431-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A SCH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.5A(Ta) 1W(Ta) 6-SCH
型号:
SCH1439-TL-H
仓库库存编号:
SCH1439-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.6nC @ 10V,
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