产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(28)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(2)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(26)
筛选品牌
Infineon Technologies (13)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (2)
ON Semiconductor (4)
Rohm Semiconductor (2)
Taiwan Semiconductor Corporation (4)
Texas Instruments (2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SO
型号:
CSD88539NDT
仓库库存编号:
296-37796-1-ND
别名:296-37796-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Tc) 37.3W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y153-100EX
仓库库存编号:
1727-1802-1-ND
别名:1727-1802-1
568-11416-1
568-11416-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 3W(Ta),25W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1G120MNTB
仓库库存编号:
RS1G120MNTBCT-ND
别名:RS1G120MNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1-ND
IPD60R1K5CEAUMA1TR
SP001396902
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1DKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R1K4C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K4C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K4C6ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 2.1W Surface Mount 8-SOIC
型号:
CSD88539ND
仓库库存编号:
296-37304-1-ND
别名:296-37304-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R1K4C6
仓库库存编号:
IPD60R1K4C6CT-ND
别名:IPD60R1K4C6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 8A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 15W(Tc) CPT3
型号:
RSD080N06TL
仓库库存编号:
RSD080N06TL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.1A(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R1K5CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA1-ND
别名:SP001369534
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 49W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K5CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA2-ND
别名:SP001396898
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K4C6AKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K4C6AKMA1-ND
别名:SP001292874
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3A(Tc) 26.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL60R1K5C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL60R1K5C6SATMA1-ND
别名:SP001163010
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5A(Tc) 20W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K5CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K5CEXKSA1-ND
别名:SP001429420
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 28W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R1K5CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.4A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV45EN,215
仓库库存编号:
568-2356-1-ND
别名:568-2356-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.7A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV60EN,215
仓库库存编号:
568-2357-1-ND
别名:568-2357-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 44W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM2NB60CH C5G
仓库库存编号:
TSM2NB60CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 44W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2NB60CP ROG
仓库库存编号:
TSM2NB60CP ROGTR-ND
别名:TSM2NB60CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 44W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2NB60CP ROG
仓库库存编号:
TSM2NB60CP ROGCT-ND
别名:TSM2NB60CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.4nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号