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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 57W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD02N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD02N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD02N60Z-1G-ND
  NDD02N60Z-1GOS
  NDD02N60Z1G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.1nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 290mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：NTS4173PT1G
  仓库库存编号：NTS4173PT1GOSCT-ND
  别名：NTS4173PT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.1nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 6A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K315T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K315T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K315T(T5LFT)CT
  SSM3K315T(T5LFT)CT-ND
  SSM3K315T(TE85L)CT
  SSM3K315T(TE85L)CT-ND
  SSM3K315T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.1nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 24W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF02N60ZG
  仓库库存编号：NDF02N60ZGOS-ND
  别名：NDF02N60ZG-ND
  NDF02N60ZGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.1nC @ 10V,
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