以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB034N06L3 G
  仓库库存编号：IPB034N06L3 GCT-ND
  别名：IPB034N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP037N06L3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP037N06L3GXKSA1-ND
  别名：IPP037N06L3 G
  IPP037N06L3 G-ND
  IPP037N06L3G
  SP000680774
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N06L3 G
  仓库库存编号：IPD031N06L3 GCT-ND
  别名：IPD031N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3716
  仓库库存编号：IRL3716-ND
  别名：*IRL3716
  Q1265959
  SP001568284
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3716S
  仓库库存编号：IRL3716S-ND
  别名：*IRL3716S
  Q1282555
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-262
  
  型号：IRL3716LPBF
  仓库库存编号：IRL3716LPBF-ND
  别名：*IRL3716LPBF
  SP001558060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3716PBF
  仓库库存编号：IRL3716PBF-ND
  别名：*IRL3716PBF
  SP001558646
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3716SPBF
  仓库库存编号：IRL3716SPBF-ND
  别名：SP001568304
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3716STRRPBF
  仓库库存编号：IRL3716STRRPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3716STRLPBF
  仓库库存编号：IRL3716STRLPBF-ND
  别名：SP001578504
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI037N06L3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI037N06L3GHKSA1-ND
  别名：IPI037N06L3 G
  IPI037N06L3 G-ND
  SP000397910
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD035N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD035N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD035N06L3 GCT
  IPD035N06L3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 79nC @ 4.5V,
• 无铅
• 搜索