产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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EPC
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
详细描述:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
型号:
EPC2108ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2108ENGRCT-ND
别名:917-EPC2108ENGRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V,
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EPC
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
详细描述:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
型号:
EPC2108
仓库库存编号:
917-1169-1-ND
别名:917-1169-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V,
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