产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 510mA 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
NDC7002N
仓库库存编号:
NDC7002NCT-ND
别名:NDC7002NCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 350mW(Ta),3.1W(Tc) DFN1006-3
型号:
NX7002BKMYL
仓库库存编号:
1727-2232-1-ND
别名:1727-2232-1
568-12500-1
568-12500-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 270mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX7002BKR
仓库库存编号:
1727-2663-1-ND
别名:1727-2663-1
568-13168-1
568-13168-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Comchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002-HF
仓库库存编号:
641-1756-1-ND
别名:641-1756-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 270mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) SOT-323-3
型号:
NX7002BKWX
仓库库存编号:
568-13170-1-ND
别名:568-13170-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 6TSSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 270mA(Ta) 310mW(Ta), 1.67W(Tc) 6-TSSOP
型号:
NX7002BKSX
仓库库存编号:
1727-2664-1-ND
别名:1727-2664-1
568-13169-1
568-13169-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SGL 3-DFN1006B
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 350mW(Ta),3.1W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
NX7002BKMBYL
仓库库存编号:
1727-2231-1-ND
别名:1727-2231-1
568-12499-1
568-12499-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127H6327XTSA2
仓库库存编号:
BSS127H6327XTSA2CT-ND
别名:BSS127H6327XTSA2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.1A(Tc) 25W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R1K4CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R1K4CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CECT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.26A 6DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 260mA 285mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)
型号:
NX7002BKXBZ
仓库库存编号:
1727-2254-1-ND
别名:1727-2254-1
568-12540-1
568-12540-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Comchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
2N7002-G
仓库库存编号:
2N7002-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.24A 6TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 240mA 320mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
NX7002BKS
仓库库存编号:
NX7002BKS-ND
别名:934068619115
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 385mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
TP0202K-T1-E3
仓库库存编号:
TP0202K-T1-E3CT-ND
别名:TP0202K-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 385mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
TP0202K-T1-GE3
仓库库存编号:
TP0202K-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127 E6327
仓库库存编号:
BSS127 E6327-ND
别名:BSS127 E6327
BSS127 E6327-ND
BSS127E6327XT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS127L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS127 L6327
BSS127 L6327-ND
SP000247305
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 21mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS127H6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS127H6327XTSA1-ND
别名:BSS127 H6327
BSS127 H6327-ND
SP000705718
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 1nC @ 10V,
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