产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),334A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H01NFT3G
仓库库存编号:
NTMFS4H01NFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 140A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP140N055T2
仓库库存编号:
IXTP140N055T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 54A(Ta),334A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4H01NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4H01NFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60P
仓库库存编号:
IXTQ30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N60P
仓库库存编号:
IXFH30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 500W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N60P
仓库库存编号:
IXFT30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-268
型号:
IXTT30N60P
仓库库存编号:
IXTT30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 170A(Tc) 2.8W(Ta),57W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB012NE2LXIXUMA1
仓库库存编号:
BSB012NE2LXIXUMA1-ND
别名:SP001034232
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13NB60
仓库库存编号:
497-2772-5-ND
别名:497-2772-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) PLUS220
型号:
IXTV30N60P
仓库库存编号:
IXTV30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXTV30N60PS
仓库库存编号:
IXTV30N60PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 500W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV30N60P
仓库库存编号:
IXFV30N60P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220-SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 500W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV30N60PS
仓库库存编号:
IXFV30N60PS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8670
仓库库存编号:
FDS8670CT-ND
别名:FDS8670CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8035-H(TE12L,QM
仓库库存编号:
TPC8035-HTE12LQMCT-ND
别名:TPC8035-HTE12LQMCT
TPC8035HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 98A(Tc) 115W(Tc) DPAK-3
型号:
NTD5862N-1G
仓库库存编号:
NTD5862N-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 34V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 34V 75A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK7L06-34ARC,127
仓库库存编号:
BUK7L06-34ARC,127-ND
别名:934057493127
BUK7L06-34ARC
BUK7L06-34ARC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 29A(Ta),100A(Tc) 3.6W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRLH5034TR2PBF
仓库库存编号:
IRLH5034TR2PBFCT-ND
别名:IRLH5034TR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK6507-55C,127
仓库库存编号:
568-7487-5-ND
别名:568-7487-5
934064253127
BUK6507-55C,127-ND
BUK650755C127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 115W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N06N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD053N06N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 GCT-ND
IPD053N06N3G
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 234W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK754R7-60E,127
仓库库存编号:
568-9844-5-ND
别名:568-9844-5
934066471127
BUK754R760E127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 82nC @ 10V,
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