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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R280P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R280P7XKSA1-ND
  别名：SP001632934
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R120P7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R120P7XKSA1-ND
  别名：SP001658382
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH16N60P3
  仓库库存编号：IXFH16N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 347W（Tc） TO-263（IXFA）
  
  型号：IXFA16N60P3
  仓库库存编号：IXFA16N60P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 550V 13A（Tc） 114W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50R250CPATMA1
  仓库库存编号：IPB50R250CPATMA1TR-ND
  别名：IPB50R250CP
  IPB50R250CP-ND
  SP000236093
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF740A
  仓库库存编号：IRF740A-ND
  别名：*IRF740A
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740AS
  仓库库存编号：IRF740AS-ND
  别名：*IRF740AS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
  
  型号：IRF740AL
  仓库库存编号：IRF740AL-ND
  别名：*IRF740AL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740ASTRL
  仓库库存编号：IRF740ASTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 10A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF740ASTRR
  仓库库存编号：IRF740ASTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：FDS2170N3
  仓库库存编号：FDS2170N3CT-ND
  别名：FDS2170N3_NLCT
  FDS2170N3_NLCT-ND
  FDS2170N3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3A（Ta） 3W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：FDS2170N7
  仓库库存编号：FDS2170N7CT-ND
  别名：FDS2170N7_NLCT
  FDS2170N7_NLCT-ND
  FDS2170N7CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 147W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP9N50
  仓库库存编号：FQP9N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP7N65C
  仓库库存编号：FQP7N65C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 48W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF8N60CYDTU
  仓库库存编号：FQPF8N60CYDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF9N50YDTU
  仓库库存编号：FQPF9N50YDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50T
  仓库库存编号：FQPF9N50T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N50
  仓库库存编号：FQPF9N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 9A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB9N50TM
  仓库库存编号：FQB9N50TM-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9A（Tc） 3.13W（Ta），147W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI9N50TU
  仓库库存编号：FQI9N50TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 7.2A（Tc） 90W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF9N50
  仓库库存编号：FQAF9N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 9.6A（Tc） 160W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA9N50
  仓库库存编号：FQA9N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7507-30B,127
  仓库库存编号：568-5715-5-ND
  别名：568-5715
  568-5715-5
  568-5715-ND
  934057688127
  BUK7507-30B
  BUK7507-30B,127-ND
  BUK7507-30B-ND
  BUK750730B127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7508-40B,127
  仓库库存编号：568-5717-5-ND
  别名：568-5717
  568-5717-5
  568-5717-ND
  934057693127
  BUK7508-40B
  BUK7508-40B,127-ND
  BUK7508-40B-ND
  BUK750840B127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 125W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC14N60P
  仓库库存编号：IXFC14N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 36nC @ 10V,
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