产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
NTGD4167CT1G
仓库库存编号:
NTGD4167CT1GOSCT-ND
别名:NTGD4167CT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMG3418L-7
仓库库存编号:
DMG3418L-7DICT-ND
别名:DMG3418L-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2306CX RFG
仓库库存编号:
TSM2306CX RFGTR-ND
别名:TSM2306CX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2306CX RFG
仓库库存编号:
TSM2306CX RFGCT-ND
别名:TSM2306CX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.5A(Ta) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2306CX RFG
仓库库存编号:
TSM2306CX RFGDKR-ND
别名:TSM2306CX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.9A(Tj) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2302DDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2302DDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2302DDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 20V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 3.2A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2351ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2351ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2351ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2302CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2302CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2302CDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2302CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2302CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2302CDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 30V SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA918EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA918EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA918EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V POWERPAK SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.75A(Tc) 13.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SQA401EJ-T1_GE3
仓库库存编号:
SQA401EJ-T1_GE3CT-ND
别名:SQA401EJ-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 40V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Tc) 30W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C471NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C471NLWFTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C471NLWFTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.5W(Ta) SOT-23
型号:
DMG2301L-13
仓库库存编号:
DMG2301L-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.5W(Ta) SOT-23
型号:
DMG2301L-7
仓库库存编号:
DMG2301L-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23
型号:
DMG3418L-13
仓库库存编号:
DMG3418L-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta),23A(Tc) 790mW(Ta),20.2W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4930NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4930NTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta),23A(Tc) 790mW(Ta),20.2W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4930NTWG
仓库库存编号:
NTTFS4930NTWG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.3A(Tc) 1.7W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3442EV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3442EV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3442EV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.6A 560mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
NTGD3133PT1G
仓库库存编号:
NTGD3133PT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.6A(Ta) 900mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGD4169FT1G
仓库库存编号:
NTGD4169FT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 1W(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGD3147FT1G
仓库库存编号:
NTGD3147FT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.4A 900mW Surface Mount 6-TSOP
型号:
NTGD3149CT1G
仓库库存编号:
NTGD3149CT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 8V 1.6A(Tc) 1.47W(Ta),2.27W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1405BDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1405BDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1405BDH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 770mA(Ta) 170mW(Ta) SC-89(SOT-563F)
型号:
SI1037X-T1-E3
仓库库存编号:
SI1037X-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 770mA(Ta) 170mW(Ta) SC-89(SOT-563F)
型号:
SI1037X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1037X-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 5.5nC @ 4.5V,
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