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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 273nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），254A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT80080DC
  仓库库存编号：FDMT80080DCCT-ND
  别名：FDMT80080DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 273nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 800V 42A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 800V 42A 416W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTC80A10SCTG
  仓库库存编号：APTC80A10SCTG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 273nC @ 10V,
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  无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 273nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S3L-05
  仓库库存编号：IPI80N06S3L-05IN-ND
  别名：IPI80N06S3L-05-ND
  IPI80N06S3L-05IN
  IPI80N06S3L05X
  IPI80N06S3L05XK
  SP000102204
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 273nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S3L-05
  仓库库存编号：IPP80N06S3L-05IN-ND
  别名：IPP80N06S3L-05-ND
  IPP80N06S3L-05IN
  IPP80N06S3L05X
  IPP80N06S3L05XK
  SP000102206
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 273nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N06S3L-05
  仓库库存编号：IPB80N06S3L-05INCT-ND
  别名：IPB80N06S3L-05INCT
  IPB80N06S3L05
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 273nC @ 10V,
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