产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3A01FTA
仓库库存编号:
ZXMN3A01FCT-ND
别名:ZXMN3A01FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
型号:
ZXMC3AMCTA
仓库库存编号:
ZXMC3AMCTACT-ND
别名:ZXMC3AMCTACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.17A, 1.64A 870mW Surface Mount 8-SOP
型号:
ZXMHC3A01N8TC
仓库库存编号:
ZXMHC3A01N8DICT-ND
别名:ZXMHC3A01N8DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 30V 2.7A/2A SM8
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 2.7A, 2A 1.3W Surface Mount SM8
型号:
ZXMHC3A01T8TA
仓库库存编号:
ZXMHC3A01T8CT-ND
别名:ZXMHC3A01T8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5801TRPBF
仓库库存编号:
IRF5801TRPBFCT-ND
别名:IRF5801TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
型号:
ZXMN3AMCTA
仓库库存编号:
ZXMN3AMCTACT-ND
别名:ZXMN3AMCTACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3355-TL-H
仓库库存编号:
CPH3355-TL-HOSCT-ND
别名:CPH3355-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)
型号:
ZXMN3AM832TA
仓库库存编号:
ZXMN3AM832CT-ND
别名:ZXMN3AM832CT
ZXMN3AM832TA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZXMN3A01E6TA
仓库库存编号:
ZXMN3A01E6CT-ND
别名:ZXMN3A01E6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A SOT563
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) SOT-563/SCH6
型号:
SCH1337-TL-W
仓库库存编号:
SCH1337-TL-WOSCT-ND
别名:SCH1337-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6355-TL-W
仓库库存编号:
CPH6355-TL-W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) SC-88FL/ MCPH6
型号:
MCH6344-TL-W
仓库库存编号:
MCH6344-TL-WOSCT-ND
别名:MCH6344-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3355-TL-W
仓库库存编号:
CPH3355-TL-W-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A SCH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) 6-SCH
型号:
SCH1337-TL-H
仓库库存编号:
SCH1337-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A MCPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 800mW(Ta) 6-MCPH
型号:
MCH6344-TL-H
仓库库存编号:
MCH6344-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 43W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N50P
仓库库存编号:
IXTY1R6N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x3)
型号:
ZXMC3AM832TA
仓库库存编号:
ZXMC3AM832TACT-ND
别名:ZXMC3AM832TACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.8A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3A01FTC
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ZXMN3A01FTC-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N50P
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IXTP1R6N50P-ND
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A CPH6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6355-TL-H
仓库库存编号:
CPH6355-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3.9nC @ 10V,
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