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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB030N08N3 G
仓库库存编号:
IPB030N08N3 GCT-ND
别名:IPB030N08N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP030N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP030N10N5AKSA1-ND
别名:SP001227032
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP030N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP030N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP030N10N3 G
IPP030N10N3 G-ND
IPP030N10N3G
SP000680768
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.7W(Ta), 136W(Tc) TO-263AB(D2PAK)
型号:
DMTH4004SCTBQ-13
仓库库存编号:
DMTH4004SCTBQ-13DICT-ND
别名:DMTH4004SCTBQ-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 4.7W(Ta), 136W(Tc) TO-263AB
型号:
DMTH4004SCTB-13
仓库库存编号:
DMTH4004SCTB-13DICT-ND
别名:DMTH4004SCTB-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 60V 340A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN340N06
仓库库存编号:
IXFN340N06-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名:SP000936514
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI030N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI030N10N3GXKSA1-ND
别名:SP000680648
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 55V 160A ISODIL
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 55V 160A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM160-0055P3
仓库库存编号:
GWM160-0055P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI030N10N3GHKSA1
仓库库存编号:
IPI030N10N3GHKSA1-ND
别名:IPI030N10N3 G
IPI030N10N3 G-ND
SP000469884
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 毫欧 @ 100A,10V,
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