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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10N60M2
  仓库库存编号：497-13970-5-ND
  别名：497-13970-5
  STP10N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 650mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VP3203N3-G
  仓库库存编号：VP3203N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：SIHD6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65E-GE3-ND
  别名：SIHD6N65E-GE3CT
  SIHD6N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA6N65E-E3
  仓库库存编号：SIHA6N65E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB10N60M2
  仓库库存编号：497-14528-1-ND
  别名：497-14528-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU10N60M2
  仓库库存编号：497-13977-5-ND
  别名：497-13977-5
  STU10N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10N60M2
  仓库库存编号：497-13937-1-ND
  别名：497-13937-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB6N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHB6N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 31W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHF6N65E-GE3-ND
  别名：SIHF6N65E-GE3CT
  SIHF6N65E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET1-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET4-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET4-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 78W（Tc） TO-252AA
  
  型号：SIHD6N65ET5-GE3
  仓库库存编号：SIHD6N65ET5-GE3-ND
  
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP6N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V,
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