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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 2A 1.25W Surface Mount TSMT5
型号:
QS5K2TR
仓库库存编号:
QS5K2CT-ND
别名:QS5K2CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJF3117PT1G
仓库库存编号:
NTLJF3117PT1GOSCT-ND
别名:NTLJF3117PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD3115PT1G
仓库库存编号:
NTLJD3115PT1GOSCT-ND
别名:NTLJD3115PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT5
型号:
QS5U13TR
仓库库存编号:
QS5U13CT-ND
别名:QS5U13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 900mW(Ta) TSMT5
型号:
QS5U17TR
仓库库存编号:
QS5U17CT-ND
别名:QS5U17CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 480mW(Ta) X2-DFN1010-3
型号:
DMP1200UFR4-7
仓库库存编号:
DMP1200UFR4-7DICT-ND
别名:DMP1200UFR4-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 2.4W(Tc) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL4P2UH7
仓库库存编号:
497-14996-1-ND
别名:497-14996-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT5
型号:
QS5U12TR
仓库库存编号:
QS5U12CT-ND
别名:QS5U12CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 900mW(Ta) TSMT5
型号:
QS5U16TR
仓库库存编号:
QS5U16TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名:SP001187424
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.3A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD3115PTAG
仓库库存编号:
NTLJD3115PTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.3A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJF3117PTAG
仓库库存编号:
NTLJF3117PTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD3181PZTAG
仓库库存编号:
NTLJD3181PZTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NTLJD3181PZTBG
仓库库存编号:
NTLJD3181PZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJD3182FZTAG
仓库库存编号:
NTLJD3182FZTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJD3182FZTBG
仓库库存编号:
NTLJD3182FZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 2A,4.5V,
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