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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 104W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN1R603PL,L1Q
  仓库库存编号：TPN1R603PLL1QCT-ND
  别名：TPN1R603PLL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL9406_F085
  仓库库存编号：FDBL9406_F085CT-ND
  别名：FDBL9406_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB9403_F085
  仓库库存编号：FDB9403_F085CT-ND
  别名：FDB9403_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 110A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 333W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB9403L_F085
  仓库库存编号：FDB9403L_F085CT-ND
  别名：FDB9403L_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 毫欧 @ 80A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 300W（Tj） 8-PSOF
  
  型号：FDBL0120N40
  仓库库存编号：FDBL0120N40CT-ND
  别名：FDBL0120N40CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 毫欧 @ 80A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH300NH02L-6
  仓库库存编号：497-12255-1-ND
  别名：497-12255-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 毫欧 @ 80A，10V,
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