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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600C6
仓库库存编号:
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA65R600E6
仓库库存编号:
IPA65R600E6-ND
别名:IPA65R600E6XKSA1
SP000799140
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB600CP ROGTR-ND
别名:TSM60NB600CP ROGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB600CP ROGCT-ND
别名:TSM60NB600CP ROGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号:
TSM60NB600CP ROGDKR-ND
别名:TSM60NB600CP ROGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 63W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60NB600CH C5G
仓库库存编号:
TSM60NB600CH C5G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117096
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R600E6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R600E6AKMA1-ND
别名:SP001273092
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R600C6XKSA1-ND
别名:IPA65R600C6
IPA65R600C6-ND
SP000850502
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R600C6XKSA1-ND
别名:IPI65R600C6
IPI65R600C6-ND
SP000850504
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R600E6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R600E6XKSA1-ND
别名:IPP65R600E6
IPP65R600E6-ND
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MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R600C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R600C6XKSA1-ND
别名:IPP65R600C6
IPP65R600C6-ND
SP000661310
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