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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9606-75B,118
仓库库存编号:
1727-5260-1-ND
别名:1727-5260-1
568-6585-1
568-6585-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK9506-75B,127
仓库库存编号:
568-6632-5-ND
别名:568-6632
568-6632-5
568-6632-ND
934057111127
BUK9506-75B
BUK9506-75B,127-ND
BUK9506-75B-ND
BUK950675B127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 42W(Tc) PG-TDSON-8-33
型号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1
仓库库存编号:
IPC50N04S5L5R5ATMA1CT-ND
别名:IPC50N04S5L5R5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 166W(Tc) DPAK
型号:
PHD101NQ03LT,118
仓库库存编号:
PHD101NQ03LT,118-ND
别名:934057029118
PHD101NQ03LT /T3
PHD101NQ03LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 81.7A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH5525L,115
仓库库存编号:
PH5525L,115-ND
别名:934060924115
PH5525L T/R
PH5525L T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA180N085T
仓库库存编号:
IXTA180N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA180N085T7
仓库库存编号:
IXTA180N085T7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH180N085T
仓库库存编号:
IXTH180N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP180N085T
仓库库存编号:
IXTP180N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 85V 180A(Tc) 430W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ180N085T
仓库库存编号:
IXTQ180N085T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 166W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP101NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHP101NQ03LT,127-ND
别名:934057031127
PHP101NQ03LT
PHP101NQ03LT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 166W(Tc) I-Pak
型号:
PHU101NQ03LT,127
仓库库存编号:
PHU101NQ03LT,127-ND
别名:934057508127
PHU101NQ03LT
PHU101NQ03LT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
PHB153NQ08LT,118
仓库库存编号:
PHB153NQ08LT,118-ND
别名:934058282118
PHB153NQ08LT /T3
PHB153NQ08LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 25A,10V,
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