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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V SOT78
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN3R9-60PSQ
仓库库存编号:
1727-1133-ND
别名:1727-1133
568-10288-5
568-10288-5-ND
934067464127
PSMN3R9-60PSQ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN4R2-60PLQ
仓库库存编号:
1727-1059-ND
别名:1727-1059
568-10167-5
568-10167-5-ND
934067502127
PSMN4R260PLQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R9-60E,118
仓库库存编号:
1727-1066-1-ND
别名:1727-1066-1
568-10176-1
568-10176-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 263W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R2-60E,118
仓库库存编号:
1727-1100-1-ND
别名:1727-1100-1
568-10255-1
568-10255-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN3R8-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7109-1-ND
别名:1727-7109-1
568-9479-1
568-9479-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 25A,10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 120A(Tc) 263W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R5-55C,127
仓库库存编号:
568-7497-5-ND
别名:568-7497-5
934064238127
BUK653R5-55C,127-ND
BUK653R555C127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 25A,10V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 158W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK653R7-30C,127
仓库库存编号:
568-7498-5-ND
别名:568-7498-5
934064244127
BUK653R7-30C,127-ND
BUK653R730C127
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.9 毫欧 @ 25A,10V,
含铅
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