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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-268(IXFT)
型号:
IXFT6N100F
仓库库存编号:
IXFT6N100F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXFH)
型号:
IXFH6N100F
仓库库存编号:
IXFH6N100F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N100Q
仓库库存编号:
IXFH6N100Q-ND
别名:478547
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 6A(Tc) 180W(Tc) TO-268
型号:
IXFT6N100Q
仓库库存编号:
IXFT6N100Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 1.9 欧姆 @ 3A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6.4A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA6N90_F109
仓库库存编号:
FQA6N90_F109-ND
别名:FQA6N90-F109
FQA6N90-F109-ND
Q3402555
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