产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ300N20TL
仓库库存编号:
RCJ300N20TLCT-ND
别名:RCJ300N20TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX300N20
仓库库存编号:
RCX300N20-ND
别名:RCX300N20CT
RCX300N20CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50V 15A(Tc) 50W(Tc) TO-220
型号:
NDP4050L
仓库库存编号:
NDP4050L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Tc) 50W(Tc) TO-220
型号:
NDP4060L
仓库库存编号:
NDP4060L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 15A(Tc) 50W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB4050L
仓库库存编号:
NDB4050LCT-ND
别名:NDB4050LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Tc) 50W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
NDB4060L
仓库库存编号:
NDB4060LTR-ND
别名:NDB4060LTR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB30P06VT4
仓库库存编号:
MTB30P06VT4OS-ND
别名:MTB30P06VT4OS
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 30A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
MTB30P06VT4G
仓库库存编号:
MTB30P06VT4GOSCT-ND
别名:MTB30P06VT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP21N10
仓库库存编号:
SPP21N10IN-ND
别名:SP000013842
SPP21N10IN
SPP21N10X
SPP21N10XTIN
SPP21N10XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10
仓库库存编号:
SPB21N10INCT-ND
别名:SPB21N10INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10T
仓库库存编号:
SPB21N10T-ND
别名:SP000013626
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 80 毫欧 @ 15A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10 G
仓库库存编号:
SPB21N10 G-ND
别名:SP000102171
SPB21N10GXT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI21N10
仓库库存编号:
SPI21N10IN-ND
别名:SP000013843
SPI21N10-ND
SPI21N10IN
SPI21N10X
SPI21N10XK
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