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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Ta），80A（Tc） 254W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8442_F085
  仓库库存编号：FDP8442_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 80A，10V,
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  无铅
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 23A（Ta），80A（Tc） 254W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8442
  仓库库存编号：FDP8442-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2-03
  仓库库存编号：SPB80N03S2-03-ND
  别名：SP000016251
  SPB80N03S203T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S203GATMA1
  仓库库存编号：SPB80N03S203GATMA1TR-ND
  别名：SP000200139
  SPB80N03S2-03 G
  SPB80N03S2-03 G-ND
  SPB80N03S203GXT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N04S2L-03
  仓库库存编号：SPB80N04S2L-03-ND
  别名：SP000016354
  SPB80N04S2L03T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 80A，10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-03-ND
  别名：SP000016261
  SPI80N03S2L03X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 80A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPP80N03S2L-03-ND
  别名：SP000012469
  SPP80N03S2L03X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 80A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N04S2L03ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
  别名：IPB80N04S2L-03
  IPB80N04S2L-03-ND
  SP000220158
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 80A，10V,
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