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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 3.8W(Ta), 214W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
FDB0250N807L
仓库库存编号:
FDB0250N807LCT-ND
别名:FDB0250N807LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6619
仓库库存编号:
IRF6619CT-ND
别名:IRF6619CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6619TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6619TR1PBFCT-ND
别名:IRF6619TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678
仓库库存编号:
IRF6678CT-ND
别名:IRF6678CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta) 3W(Ta),33W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E300GNTB
仓库库存编号:
RS1E300GNTBCT-ND
别名:RS1E300GNTBCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
SUM50020E-GE3
仓库库存编号:
SUM50020E-GE3CT-ND
别名:SUM50020E-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 60A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK03C1DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK03C1DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK03C1DPB-00#J5CT
RJK03C1DPB00J5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),156A(Tc) 900mW(Ta),86.2W(Tc) SO-8FL
型号:
NTMFS4833NST1G
仓库库存编号:
NTMFS4833NST1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),156A(Tc) 900mW(Ta),86.2W(Tc) SO-8FL
型号:
NTMFS4833NST3G
仓库库存编号:
NTMFS4833NST3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6618
仓库库存编号:
IRF6618CT-ND
别名:*IRF6618
IRF6618CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),170A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MT
型号:
IRF6618TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6618TR1PBFCT-ND
别名:IRF6618TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6678TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6678TR1PBFCT-ND
别名:IRF6678TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 25V 28A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 28A(Ta) 2.7W(Ta),39W(Tc)
型号:
IRFHM4226TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4226TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4226TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 2.2 毫欧 @ 30A,10V,
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