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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEIN
IPD50R500CEIN-ND
IPD50R500CEINCT
IPD50R500CEINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 2.3A,13V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R500CE
仓库库存编号:
IPP50R500CEIN-ND
别名:IPP50R500CEIN
IPP50R500CEXKSA1
SP000939326
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 2.3A,13V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 11.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN50R500CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAN50R500CEXKSA1-ND
别名:SP001508834
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 2.3A,13V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD50R500CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 2.3A,13V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA50R500CEXKSA2
仓库库存编号:
IPA50R500CEXKSA2-ND
别名:SP001217230
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 2.3A,13V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.6A(Tc) 28W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R500CE
仓库库存编号:
IPA50R500CEIN-ND
别名:IPA50R500CEIN
IPA50R500CEXKSA1
SP000939320
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 2.3A,13V,
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MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 7.6A(Tc) 57W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R500CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R500CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R500CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 2.3A,13V,
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