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• Infineon Technologies
  N-CHANNEL_100+
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB100N12S305ATMA1
  仓库库存编号：IPB100N12S305ATMA1CT-ND
  别名：IPB100N12S305ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.1 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP100N10S305AKSA1
  仓库库存编号：IPP100N10S305AKSA1-ND
  别名：IPP100N10S3-05
  IPP100N10S3-05-ND
  IPP100N10S305
  SP000407126
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.1 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI100N10S305AKSA1
  仓库库存编号：IPI100N10S305AKSA1-ND
  别名：IPI100N10S3-05
  IPI100N10S3-05-ND
  SP000407128
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.1 毫欧 @ 100A，10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 200A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXUC200N055
  仓库库存编号：IXUC200N055-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.1 毫欧 @ 100A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB05CN10N G
  仓库库存编号：IPB05CN10N G-ND
  别名：SP000096440
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.1 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP05CN10L G
  仓库库存编号：IPP05CN10L G-ND
  别名：SP000308801
  SP000680812
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.1 毫欧 @ 100A，10V,
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