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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 1.8A(Tc) 20W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9610PBF
仓库库存编号:
IRF9610PBF-ND
别名:*IRF9610PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 900mA,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610SPBF
仓库库存编号:
IRF9610SPBF-ND
别名:IRF9610SPBFCT
IRF9610SPBFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 900mA,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 20W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9610
仓库库存编号:
IRF9610-ND
别名:*IRF9610
IRF9611
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 900mA,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610S
仓库库存编号:
IRF9610S-ND
别名:*IRF9610S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 900mA,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9610L
仓库库存编号:
IRF9610L-ND
别名:*IRF9610L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 900mA,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610STRL
仓库库存编号:
IRF9610STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 900mA,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 1.8A(Tc) 3W(Ta),20W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9610STRR
仓库库存编号:
IRF9610STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3 欧姆 @ 900mA,10V,
含铅
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