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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N15DPBF-ND
别名:*IRFB23N15DPBF
SP001566508
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 14A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N15DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N15DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 14A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N15D
仓库库存编号:
IRFS23N15D-ND
别名:*IRFS23N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 14A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15D
仓库库存编号:
IRFSL23N15D-ND
别名:*IRFSL23N15D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 14A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 23A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 23A(Tc) 3.8W(Ta),136W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N15DPBF
仓库库存编号:
IRFSL23N15DPBF-ND
别名:*IRFSL23N15DPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 90 毫欧 @ 14A,10V,
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