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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) TO-220-3
型号:
SPP16N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP16N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681056
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW16N50C3
仓库库存编号:
SPW16N50C3IN-ND
别名:SP000014472
SPW16N50C3FKSA1
SPW16N50C3IN
SPW16N50C3X
SPW16N50C3XK
SPW16N50C3XTIN
SPW16N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6020FNJTL
仓库库存编号:
R6020FNJTLCT-ND
别名:R6020FNJTLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB16N50C3
仓库库存编号:
SPB16N50C3INCT-ND
别名:SPB16N50C3INCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 280 毫欧 @ 10A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA16N50C3
仓库库存编号:
SPA16N50C3IN-ND
别名:SP000216351
SPA16N50C3IN
SPA16N50C3X
SPA16N50C3XK
SPA16N50C3XKSA1
SPA16N50C3XTIN
SPA16N50C3XTIN-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP16N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP16N50C3HKSA1-ND
别名:SPP16N50C3
SPP16N50C3IN
SPP16N50C3IN-ND
SPP16N50C3X
SPP16N50C3XK
SPP16N50C3XTIN
SPP16N50C3XTIN-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 16A(Tc) 160W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI16N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI16N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014470
SP000681004
SPI16N50C3
SPI16N50C3-ND
SPI16N50C3IN
SPI16N50C3IN-ND
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SPI16N50C3XK
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