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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7145DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7145DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7145DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E2R6-60E,127
  仓库库存编号：1727-7243-ND
  别名：1727-7243
  568-9851-5
  568-9851-5-ND
  934066514127
  BUK7E2R660E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 150A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 326W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R6-60PSQ
  仓库库存编号：1727-1057-ND
  别名：1727-1057
  568-10165-5
  568-10165-5-ND
  934067504127
  PSMN2R660PSQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 1.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PSMN2R5-60PLQ
  仓库库存编号：1727-1056-ND
  别名：1727-1056
  568-10164-5
  568-10164-5-ND
  934067499127
  PSMN2R560PLQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R6-40E,118
  仓库库存编号：1727-1065-1-ND
  别名：1727-1065-1
  568-10175-1
  568-10175-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 324W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK762R6-60E,118
  仓库库存编号：1727-1090-1-ND
  别名：1727-1090-1
  568-10243-1
  568-10243-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE812DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE812DF-T1-E3TR-ND
  别名：SIE812DF-T1-E3TR
  SIE812DFT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE812DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE812DF-T1-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK752R7-60E,127
  仓库库存编号：568-9840-5-ND
  别名：568-9840-5
  934066481127
  BUK752R760E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK952R8-60E,127
  仓库库存编号：568-9862-5-ND
  别名：568-9862-5
  934066522127
  BUK952R860E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E2R8-60E,127
  仓库库存编号：568-9872-5-ND
  别名：568-9872-5
  934066513127
  BUK9E2R860E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2.6 毫欧 @ 25A，10V,
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