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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN4NF03L
仓库库存编号:
497-4525-1-ND
别名:497-4525-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448980
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名:SP000448986
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS4DNF30L
仓库库存编号:
497-5251-1-ND
别名:497-5251-1
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.2A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
型号:
TPCF8402(TE85L,F,M
仓库库存编号:
TPCF8402FCT-ND
别名:TPCF8402FCT
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