以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 480A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 480A（Tc） 940W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN520N075T2
  仓库库存编号：IXFN520N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB019N06L3 G
  仓库库存编号：IPB019N06L3 GCT-ND
  别名：IPB019N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 195A
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL60B216
  仓库库存编号：IRL60B216-ND
  别名：SP001568416
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 231W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL40B212
  仓库库存编号：IRL40B212-ND
  别名：SP001578760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 195A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 195A（Tc） 231W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL40S212
  仓库库存编号：IRL40S212-ND
  别名：IRL40S212CT
  IRL40S212CT-ND
  SP001568454
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB019N08N3 G
  仓库库存编号：IPB019N08N3 GCT-ND
  别名：IPB019N08N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 340A
  详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP340N04T4
  仓库库存编号：IXTP340N04T4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 340A
  详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 480W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH340N04T4
  仓库库存编号：IXTH340N04T4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N04S401AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N04S401AKSA1-ND
  别名：IPP120N04S4-01
  IPP120N04S4-01-ND
  SP000705704
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI120N04S401AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N04S401AKSA1-ND
  别名：IPI120N04S4-01
  IPI120N04S4-01-ND
  SP000705722
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.9 毫欧 @ 100A，10V,
• 无铅
• 搜索