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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），41A（Tc） 1.38W（Ta），26.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4969NT4G
  仓库库存编号：NTD4969NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4969NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4809NT4G
  仓库库存编号：NTD4809NT4GOSCT-ND
  别名：NTD4809NT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD090N03LGATMA1CT
  IPD090N03LGINCT
  IPD090N03LGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC090N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC090N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC090N03MSGINCT
  BSC090N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC090N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC090N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC090N03LSGINCT
  BSC090N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 128A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SUM80090E-GE3
  仓库库存编号：SUM80090E-GE3CT-ND
  别名：SUM80090E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP7030BL
  仓库库存编号：FDP7030BLFS-ND
  别名：FDP7030BL-ND
  FDP7030BLFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 60A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 60W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB7030BL
  仓库库存编号：FDB7030BLCT-ND
  别名：FDB7030BLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N03S4L-09
  仓库库存编号：IPD30N03S4L-09INCT-ND
  别名：IPD30N03S4L-09INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
  详细描述：通孔 N 沟道 9.4A（Ta），41A（Tc） 1.38W（Ta），26.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4979N-35G
  仓库库存编号：NTD4979N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 75V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A 128W TO-220-3
  
  型号：TK60E08K3,S1X(S
  仓库库存编号：TK60E08K3S1X(S-ND
  别名：TK60E08K3S1X(S
  TK60E08K3S1XS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD090N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD090N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000236950
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 60A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD60NH03L-1
  仓库库存编号：497-3164-5-ND
  别名：497-3164-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD60NH03LT4
  仓库库存编号：STD60NH03LT4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4809N-1G
  仓库库存编号：NTD4809N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4809N-35G
  仓库库存编号：NTD4809N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4809NA-1G
  仓库库存编号：NTD4809NA-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4809NA-35G
  仓库库存编号：NTD4809NA-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4809NAT4G
  仓库库存编号：NTD4809NAT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4809NH-1G
  仓库库存编号：NTD4809NH-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4809NH-35G
  仓库库存编号：NTD4809NH-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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  MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4809NHT4G
  仓库库存编号：NTD4809NHT4GOSCT-ND
  别名：NTD4809NHT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.4A（Ta），35A（Tc） 910mW（Ta），19.8W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4945NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4945NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.4A（Ta），35A（Tc） 910mW（Ta），19.8W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4945NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4945NT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 37A IPAK TRIMMED
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.2A（Ta），37A（Tc） 1.37W（Ta），27.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4910N-35G
  仓库库存编号：NTD4910N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
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