以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 37A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.2A（Ta），37A（Tc） 1.37W（Ta），27.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4910NT4G
  仓库库存编号：NTD4910NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4959N-1G
  仓库库存编号：NTD4959N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4959N-35G
  仓库库存编号：NTD4959N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4959NH-1G
  仓库库存编号：NTD4959NH-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4959NH-35G
  仓库库存编号：NTD4959NH-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4959NHT4G
  仓库库存编号：NTD4959NHT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4959NT4G
  仓库库存编号：NTD4959NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 41A IPAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.4A（Ta），41A（Tc） 1.38W（Ta），26.3W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4969N-35G
  仓库库存编号：NTD4969N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.4A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.4A（Ta），41A（Tc） 1.38W（Ta），26.3W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4979NT4G
  仓库库存编号：NTD4979NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 93W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP70N03-09BP-E3
  仓库库存编号：SUP70N03-09BP-E3-ND
  别名：SUP70N03-09BP-E3CT
  SUP70N03-09BP-E3CT-ND
  SUP70N0309BPE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4809NHT4G
  仓库库存编号：NVD4809NHT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.6A（Ta），58A（Tc） 1.4W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NVD4809NT4G
  仓库库存编号：NVD4809NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS090N03LGAKMA1
  仓库库存编号：IPS090N03LGAKMA1-ND
  别名：IPS090N03L G
  IPS090N03LGIN
  IPS090N03LGIN-ND
  IPS090N03LGXK
  SP000788216
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU090N03L G
  仓库库存编号：IPU090N03LGIN-ND
  别名：IPU090N03LGIN
  IPU090N03LGXK
  SP000260751
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03LS GCT
  BSC889N03LS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 9 毫欧 @ 30A，10V,
• 无铅
• 搜索