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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 820mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C08NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C08NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4C08NTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 166W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SQM70060EL_GE3
  仓库库存编号：SQM70060EL_GE3CT-ND
  别名：SQM70060EL_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 820mW（Ta），25.5W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4C08NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4C08NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4C08NTWG
  仓库库存编号：NVTFS4C08NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4C08NWFTWG
  仓库库存编号：NVTFS4C08NWFTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4C08NTAG
  仓库库存编号：NVTFS4C08NTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A U8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS4C08NWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS4C08NWFTAG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU06N03LAGXK
  仓库库存编号：IPU06N03LAGXK-ND
  别名：IPU06N03LA
  IPU06N03LA G
  IPU06N03LAGIN
  IPU06N03LAGIN-ND
  IPU06N03LAGX
  IPU06N03LAGXTIN
  IPU06N03LAGXTIN-ND
  IPU06N03LAIN
  IPU06N03LAIN-ND
  SP000017594
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta），66A（Tc） 870mW（Ta），41.7W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4851NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4851NT1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta），66A（Tc） 870mW（Ta），41.7W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4851NT3G
  仓库库存编号：NTMFS4851NT3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta），66A（Tc） 870mW（Ta），41.7W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4826NET1G
  仓库库存编号：NTMFS4826NET1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4826NET1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB06N03LA
  仓库库存编号：IPB06N03LAINCT-ND
  别名：IPB06N03LAINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB06N03LAT
  仓库库存编号：IPB06N03LAXTINCT-ND
  别名：IPB06N03LAXTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB06N03LA G
  仓库库存编号：IPB06N03LA G-ND
  别名：IPB06N03LAGXT
  SP000068850
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS06N03LA G
  仓库库存编号：IPS06N03LA G-ND
  别名：IPS06N03LAGX
  SP000015130
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS06N03LZ G
  仓库库存编号：IPS06N03LZ G-ND
  别名：IPS06N03LZGX
  SP000016328
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 5.9 毫欧 @ 30A，10V,
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