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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 48W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD14N05SM9A
仓库库存编号:
RFD14N05SM9ACT-ND
别名:RFD14N05SM9ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20DPBF
仓库库存编号:
IRFB23N20DPBF-ND
别名:*IRFB23N20DPBF
SP001564048
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20DTRLP
仓库库存编号:
IRFS23N20DTRLPCT-ND
别名:IRFS23N20DTRLPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 50V 14A(Tc) 48W(Tc) TO-251AA
型号:
RFD14N05
仓库库存编号:
RFD14N05-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 14A(Tc) 48W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD14N05SM
仓库库存编号:
RFD14N05SM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS23N20D
仓库库存编号:
IRFS23N20D-ND
别名:*IRFS23N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB23N20D
仓库库存编号:
IRFB23N20D-ND
别名:*IRFB23N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D
仓库库存编号:
IRFSL23N20D-ND
别名:*IRFSL23N20D
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL23N20D102P
仓库库存编号:
IRFSL23N20D102P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 14A,10V,
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