以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD6NK50ZT4
  仓库库存编号：497-6564-1-ND
  别名：497-6564-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU6N62K3
  仓库库存编号：497-12699-5-ND
  别名：497-12699-5
  STU6N62K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 620V 5.5A（Tc） 90W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI6N62K3
  仓库库存编号：497-12265-ND
  别名：497-12265
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA90R1K2C3
  仓库库存编号：IPA90R1K2C3-ND
  别名：IPA90R1K2C3XKSA1
  Q4141204
  SP000413714
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 620V 5.5A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI6N62K3
  仓库库存编号：497-13269-5-ND
  别名：497-13269-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3BTMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
  IPD90R1K2C3CT
  IPD90R1K2C3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3ATMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP90R1K2C3
  仓库库存编号：IPP90R1K2C3-ND
  别名：IPP90R1K2C3XKSA1
  SP000411302
  SP000683096
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R1K2C3
  仓库库存编号：IPW90R1K2C3-ND
  别名：IPW90R1K2C3FKSA1
  SP000413754
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6N62K3
  仓库库存编号：497-8450-5-ND
  别名：497-8450-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 90W（Tc） DPAK
  
  型号：STDLED627
  仓库库存编号：STDLED627-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 7A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 90W（Tc） TO-220
  
  型号：STPLED627
  仓库库存编号：STPLED627-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R1K2C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R1K2C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R1K2C3
  IPI90R1K2C3-ND
  SP000413724
  SP000683080
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.6A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP6NK50Z
  仓库库存编号：497-4385-5-ND
  别名：497-4385-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 620V 5.5A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6N62K3
  仓库库存编号：STB6N62K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 5.5A（Tc） 98W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N50C
  仓库库存编号：FQP6N50C-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 1.2 欧姆 @ 2.8A，10V,
• 无铅
• 搜索