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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1018ETRPBF
仓库库存编号:
IRFR1018ETRPBFCT-ND
别名:IRFR1018ETRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1018EPBF
仓库库存编号:
IRF1018EPBF-ND
别名:SP001574502
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1018ESTRLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESTRLPBFCT-ND
别名:IRF1018ESTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF1018E
仓库库存编号:
AUIRF1018E-ND
别名:SP001519520
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRF1018ESLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESLPBF-ND
别名:SP001550908
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1018EPBF
仓库库存编号:
IRFU1018EPBF-ND
别名:SP001565188
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF1018ES
仓库库存编号:
AUIRF1018ES-ND
别名:SP001517308
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR1018E
仓库库存编号:
AUIRFR1018E-ND
别名:SP001522694
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.4 毫欧 @ 47A,10V,
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