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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 2A TO-236AB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 400mW（Ta），2.8W（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：NX2301P,215
  仓库库存编号：1727-1148-1-ND
  别名：1727-1148-1
  568-10314-1
  568-10314-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 1A，4.5V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16V 4.66A（Tc） 5W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK04P02T,518
  仓库库存编号：1727-2156-1-ND
  别名：1727-2156-1
  568-11953-1
  568-11953-1-ND
  568-12317-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 1A，4.5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.37A（Ta） 329mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：NTS4101PT1G
  仓库库存编号：NTS4101PT1GOSCT-ND
  别名：NTS4101PT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 1A，4.5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.37A（Ta） 329mW（Ta） SC-70-3（SOT323）
  
  型号：NTS4101PT1
  仓库库存编号：NTS4101PT1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 1A，4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.2A 750mW Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
  
  型号：CSD75205W1015
  仓库库存编号：296-25335-1-ND
  别名：296-25335-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 1A，4.5V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 1.52A（Ta） 417mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：BSH207,135
  仓库库存编号：568-11041-1-ND
  别名：568-11041-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 1A，4.5V,
• 无铅
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 1.52A（Ta） 417mW（Ta） 6-TSOP
  
  型号：BSH207,135
  仓库库存编号：568-11041-6-ND
  别名：568-11041-6
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 120 毫欧 @ 1A，4.5V,
• 无铅
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