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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC031N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC031N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC031N06NS3 GCT
  BSC031N06NS3 GCT-ND
  BSC031N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.1W（Ta），167W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6004SPS-13
  仓库库存编号：DMTH6004SPS-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SPS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.1W（Ta），167W（Tc） PowerDI5060-8
  
  型号：DMTH6004SPSQ-13
  仓库库存编号：DMTH6004SPSQ-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SPSQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Ta） 2.5W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMT6004SPS-13
  仓库库存编号：DMT6004SPS-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 50A，10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 26A
  详细描述：N 沟道 80V 26A（Ta） 4W（Ta）, 195W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7882TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7882TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7882TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 3.1 毫欧 @ 50A，10V,
• 无铅
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