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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GATMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS110N12N3GBKMA1
仓库库存编号:
IPS110N12N3GBKMA1-ND
别名:IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G-ND
IPS110N12N3GBKMA1TR-ND
SP000674456
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 75A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD110N12N3GBUMA1
仓库库存编号:
IPD110N12N3GBUMA1CT-ND
别名:IPD110N12N3 GCT
IPD110N12N3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 11 毫欧 @ 75A,10V,
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