产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z14PBF
仓库库存编号:
IRF9Z14PBF-ND
别名:*IRF9Z14PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12N65M2
仓库库存编号:
497-15531-5-ND
别名:497-15531-5
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14SPBF
仓库库存编号:
IRF9Z14SPBF-ND
别名:*IRF9Z14SPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z10PBF
仓库库存编号:
IRF9Z10PBF-ND
别名:*IRF9Z10PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD12N65M2
仓库库存编号:
497-15458-1-ND
别名:497-15458-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-263
型号:
IXTA8N65X2
仓库库存编号:
IXTA8N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY8N65X2
仓库库存编号:
IXTY8N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
IXTP8N65X2
仓库库存编号:
IXTP8N65X2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9Z14LPBF
仓库库存编号:
IRF9Z14LPBF-ND
别名:*IRF9Z14LPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK8P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK8P60WRVQCT-ND
别名:TK8P60WRVQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z14STRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z10
仓库库存编号:
IRF9Z10-ND
别名:*IRF9Z10
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 80W(Tc) I-Pak
型号:
TK8Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK8Q60WS1VQ-ND
别名:TK8Q60W,S1VQ(S
TK8Q60WS1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Ta) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK8A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK8A60WS4VX-ND
别名:TK8A60W,S4VX(M
TK8A60WS4VX
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z14
仓库库存编号:
IRF9Z14-ND
别名:*IRF9Z14
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14S
仓库库存编号:
IRF9Z14S-ND
别名:*IRF9Z14S
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9Z14L
仓库库存编号:
IRF9Z14L-ND
别名:*IRF9Z14L
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRL
仓库库存编号:
IRF9Z14STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRR
仓库库存编号:
IRF9Z14STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
含铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Ta) 35W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN080N25FU6
仓库库存编号:
RDN080N25FU6-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 500 毫欧 @ 4A,10V,
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